图:Raimond Spekking · CC BY-SA 4.0 · Wikimedia Commons
达灵顿晶体管1953
Darlington transistor
compound structure consisting of two bipolar transistors
达灵顿晶体管,或称达灵顿对 是电子学中由两个(甚至多个)双极性晶体管(或者其他类似的集成电路或分立器件)组成的复合结构,通过这样的结构,经第一个双极性晶体管放大的电流可以进一步被放大。这样的结构可以提供一个比其中任意一个双极性晶体管高得多的电流增益。在使用集成电流芯片的情况里,达灵顿晶体管可以使得芯片比使用两个分立晶体管器件占用更少的空间,因为两个晶体管可以共用一个集电极。达灵顿晶体管通常被封装在单一的芯片里,从外面看就像一个双极性晶体管。有时,集成电路芯片中会包含8个这样的结构方便使用。
摘自维基百科「达灵顿晶体管」,CC BY-SA 4.0
- 类型
- 电子元器件类型
- 发现 / 发明时间
- 1953 年
- 发现者 / 提出者
- 悉尼·达林顿
- 命名来源
- 悉尼·达林顿
- 学科
- 物理学