赤崎勇1929—2021

赤崎教授于2014年凭借“发明高亮度蓝色发光二极管，带来了节能明亮的白色光源”与天野浩、中村修二共同获得诺贝尔物理学奖，他也是继罗伯特·密立根之后，史上第2位兼有诺贝尔奖暨IEEE爱迪生奖章荣誉的科学家。

2021年4月1日，赤崎勇因肺炎在名古屋一家医院去世。

早年生活与教育

1929年1月30日，赤崎勇出生于日本鹿儿岛县，幼时曾有躲避美军战机的经历，终身反战。1952年京都大学理学部毕业，1964年获得工学博士（名古屋大学）学位。其后曾服务于神户工业（现电装天）、名古屋大学、松下电器等单位。

研究

在1960年代末，他开始工作于氮化镓（GaN）基蓝光LED。一步一步，他改进的GaN晶体质量和器件结构，在松下研究所东京公司（MRIT）那里，他决定采用有机金属化学气相沉积法作为首选的GaN生长方法。

1986年，赤崎勇以低温沉积（AlN）氮化铝缓冲层技术成功生产高品质的GaN晶体。1989年，他与门生天野浩完成p型GaN的结晶化，首次观测到p型材料的剧烈发光，并以GaN的pn构成完成了蓝色发光二极管。同一时期，赤崎的学生也包括日后的中国知名企业家唐骏。

1990年，赤崎师徒完成室温下紫外线暴露GaN的诱导放射。基于上述的各阶段突破，1992年，他们发明了人类史上第一个高亮度蓝色发光二极管。1995年，进一步完成注入量子多重化电流的GaN/GalnN诱导放射。自此开始，赤崎勇就一直是热门的诺贝尔奖候选人之一。在2009年至2014年的名古屋大学官方简介中，赤崎一直与另外4位名大的诺贝尔奖得主（野依、小林、益川、下村）并列。

名古屋大学赤崎纪念研究馆

赤崎教授的发明产生了专利，专利被奖励特许权使用费，其中一部分用于建立2006年10月20日开设的“名古屋大学赤崎纪念研究馆”（Nagoya University Akasaki Institute）。研究馆建有一个展示蓝光LED研究/开发和应用的历史的LED画廊，一个科研合作办公室，一个创新研究实验室，和赤崎教授的顶部六楼的办公室。该研究馆坐落在名古屋大学东山校区合作研究区域的中心。

2014年诺贝尔奖

赤崎勇与天野浩、中村修二于2014年10月7日获得诺贝尔物理学奖。翌日赤崎与江崎玲于奈（1973年诺贝尔物理学奖得主）进行电话会谈，他们讨论了彼此发明的社会影响力，也提到“日本人特有的毅力”是成功的重要原因。

赤崎是首位九州出身的日本人诺贝尔奖得主，亦缔造若干国内纪录，包括首次师徒同时获奖（与天野浩）；获奖年龄第二高（85岁，仅次于南部阳一郎的87岁）；最高龄出席颁奖典礼。

• 根据诺贝尔奖委员会，有关3人贡献的主要区别是：
• 赤崎：以低温沉积氮化铝（AIN）缓冲制成高品质GaN
• 天野：实现pn结GaN

中村：对实用级高效能蓝色LED的一系列成就、贡献（基于InGaN，但官方文件未载）

荣衔

• 1996年 紫绶褒章
• 2002年 勋三等旭日中绶章
• 2004年 文化功劳者
• 2011年 文化勋章

有关纪念

2018年4月，名古屋广小路商店街设置3座手形像，以纪念下村修、赤崎勇、天野浩3人的功绩。