中村修二1954—

2014年，中村凭借“发明高亮度蓝色发光二极管，带来节能明亮的白色光源”与赤崎勇、天野浩共同获得诺贝尔物理学奖，晋身继南部阳一郎之后的第2位美国籍日裔诺贝尔奖得主。

中村是日本唯一同时拥有诺贝尔奖、富兰克林奖章、查尔斯·斯塔克·德雷珀奖、全球能源奖、全美发明家殿堂这5大荣誉的科学家。

主要成就

1993年，中村修二对名古屋大学的赤崎勇、天野浩师徒有关p型GaN（氮化镓）的早期贡献，提出正确的理论解释，并独立发明以InGaN（基于氮化铟镓）晶体制作蓝色发光元件的双流式MOCVD方法（Two flow MOCVD），使得高亮度蓝色发光二极管正式实用化，开启爱迪生发明白炽灯之后的又一次人类照明革命。

生平

出身、求学

1954年5月22日，中村修二诞生于爱媛县西宇和郡四滨村。1965年迁居兵库县尼崎市，后来就读爱媛县立大洲高等学校普通科，亦参加排球社。1973年毕业后，原欲投考物理科系，但出于“就业不易”的考量，最终选择没有物理系的德岛大学。1977年从工学部电气工程科毕业，1979年获得同校工学硕士学位。完成学业后，中村原定进入京瓷公司。但为照顾大学时代出生的小孩，改入邻近的日亚化学工业（日亚化）公司，在开发课工作。

日亚化时期

中村就职后，竭力主张开发蓝色激光二极管的前景，日亚化因此拨给中村3亿日圆的研发经费。1987年至1988年9月，中村赴美国佛罗里达大学留学一年，回到日亚化投入2亿日圆着手改造有机金属化学气相沉积法装置。尽管受到公司新社长的反对，但中村仍坚持进行研究活动。

1993年，中村发明双流式MOCVD方法，日亚化得以量产实用级高亮度蓝色发光二极管，并取得LED照明市场的全球独霸地位，其后数年获利达数千亿日圆。翌年以论文“InGaN高亮度蓝色LED的相关研究”取得德岛大学论文博士学位（工学）。1995年，他成功实现InGaN/GaN蓝色激光二极管的室温下脉冲振荡。

1999年，中村离职，翌年应杨祖佑之邀担任加州大学圣塔芭芭拉分校材料工学院教授。

中村判决

中村修二发明的双流式MOCVD方法即通称的404专利。中村赴美后，围绕着专利与专利转让问题，中村与日亚化展开了一系列诉讼。2004年1月30日，中村正式控告日亚化，要求补偿发明的对价。一审法庭基于“中村的发明贡献不小于一半”的判断，判决日亚化需支付200亿日圆。但东京高等法院最终在2005年1月11日做出“建议和解”的裁决，日亚化支付中村8亿4000万日圆，自此买断中村在该公司的所有发明。当日，中村修二及其律师在记者会抨击“日本司法制度很烂”。

2014年11月3日，中村因获颁文化勋章返国召开记者会，自道“希望与日亚化修复关系”，但未如愿。

学界活动

赴美成为加州大学教授之后，中村修二亦陆续兼任信州大学（2002年）、爱媛大学（2006年）客座教授，以及复旦大学（2009年）顾问教授。

2005年，中村发明可以简单地将水光电解取出氢气的方法。2007年1月，他宣布发明世界第一个非极性蓝紫色激光二极管。

中村修二名列2002年汤森路透引文桂冠奖，并在2014年与赤崎勇、天野浩同获诺贝尔物理学奖。天野教授其时谦称：“中村先生是实验之神，迅速推进蓝光LED的实用化。让氮化镓材料受到重视的最大功臣，除了中村没有第二个人。”根据诺贝尔奖委员会，有关3人贡献的主要区别是：

赤崎：以低温沉积氮化铝（AIN）缓冲制成高品质GaN

天野：实现pn结GaN

中村：对实用级高效能蓝色LED的一系列成就、贡献（基于InGaN，但官方文件未载）

发言

在2014年《日本经济新闻》的专访中，中村解释自己为何入籍美国：

对此，京都大学教授山中伸弥在《日经商务周刊》表示：

2015年5月3日，中村修二在一场与JAXA负责人川口淳一郎的对谈中表示，江崎玲于奈（1973年诺贝尔物理学奖得主）是他“尤其尊敬的人物”。江崎发明了对LED至为重要的超晶格。