天野浩1960—

2014年凭借“发明高亮度蓝色发光二极管，带来了节能明亮的白色光源”与赤崎勇、中村修二共同获得诺贝尔物理学奖。

早年生活与教育

1960年9月11日，天野浩出生于日本静冈县滨松市一个企业技术员之家。高中第一名毕业后考入名古屋大学工学部电子工学科。1982年作为一个大学生加入了赤崎勇教授的研究小组，自此一直从事III族氮化物半导体的生长、表征和器件的应用研究，这是如今众所周知的用于蓝色发光二极管的材料。1983年大学毕业后，在赤崎的推荐下留校深造。1985年取得工学硕士学位，1988年担任大学助手。

他在小学时代参加了足球和垒球队，到高中为止都热衷于业余广播。尽管上高中前都未在课业用功，但数学成绩一直很好。

职业生涯

1985年，天野开发了用于在蓝宝石衬底上生长III族氮化物半导体膜的低温沉积缓冲层（AIN），从而实现了III族氮化物半导体的发光二极管和激光二极管。1989年，天野在名古屋大学的赤崎研究室成功生成p型GaN（氮化镓）磊晶体，首次观测到p型材料的剧烈发光。世界最初的pn结GaN紫外光／蓝色发光二极管便出现在天野的手上，他也在同年取得工学博士学位。1992年，天野跟随赤崎研究室移动至名城大学，2002年升为教授，2010年回到名大担任工学研究科教授。

出于对研究的热情，天野研究室不论平日、假日或新年过年都在工作，半夜灯火通明的模样，被称为“不夜城”。根据他的实验室学生所说，天野教授生性乐观、温和，从未生气。

天野的妻子通晓英语、俄语、法语，现任俄罗斯新西伯利亚国立教育大学的讲师。长女是京都大学研究生，长子就读于东京大学。

2014年诺贝尔奖

2014年诺贝尔物理学奖宣布时，天野正在法国出差途中。当晚名大的记者会由益川敏英（2008年诺贝尔物理学奖得主）透过现场连线表示嘉许。天野于2015年3月16日获聘 名大“特别教授”，待遇等同赤崎勇。

• 根据诺贝尔奖委员会，有关3人贡献的主要区别是：
• 赤崎：以低温沉积氮化铝缓冲制成高品质GaN
• 天野：实现pn结GaN

中村：对实用级高效能蓝色LED的一系列成就、贡献（基于InGaN，但官方文件未载）

荣誉

• 1991年 电气学会论文发表奖
• 1994年 OPTO Electronic会议特别奖
• 1996年 美国IEEE/LEOS工程成就奖
• 1998年 应用物理学会奖Ｃ（会志奖）
• 1998年 British Rank Prize
• 2001年 丸文学术奖
• 2002年 武田奖
• 2003年 SSDM Award
• 2008年 日本结晶成长学会论文奖
• 2014年 诺贝尔物理学奖
• 2014年 文化勋章·文化功劳者
• 2014年 滨松市荣誉市民
• 2015年 中日文化奖
• 2015年 Asia Game Changer Award
• 2016年 美国国家工程院外籍院士
• 2022年 日本学士院会员（院士）

社会活动

2015年3月1日，诺贝尔奖得主座谈（Nobel Week Dialogue）首次移师海外，在日本东京举行。在7名与会的诺贝尔奖得主当中包括2名日本人－－天野教授与京都大学的山中伸弥教授（2012年医学奖）。此外，岛津制作所的田中耕一（2002年化学奖）出席了最后一轮座谈。

有关纪念

2018年4月，名古屋广小路商店街设置3座手形像，以纪念下村修、赤崎勇、天野浩3人的功绩。