
图:José Carlos González Sánchez · Public domain · Wikimedia Commons
- 类型
- 电子元器件类型
- 发现 / 发明时间
- 1833 年
- 发现者 / 提出者
- 麦可·法拉第
- 学科
- 物理学
- 上级概念
- 电阻器
相关科学家
百科正文
不同于电阻温度计使用纯金属,在热敏电阻器中使用的材料通常是陶瓷或聚合物。两者也有不同的温度响应性质,电阻温度计适用于较大的温度范围;而热敏电阻通常在有限的温度范围内实现较高的精度,通常是-90℃〜130℃。
基本特性
热敏电阻最基本的特性是其阻值随温度的变化有极为显著的变化,以及伏安曲线呈非线性。若电子和空穴的浓度分别为 n、 p,迁移率分别为 μ ₙ、 μ ₚ,则半导体的电导为: σ =q(nμ ₙ+pμ ₚ)
因为 n、 p、 μ ₙ、 μ ₚ 都是依赖温度T的函数,所以电导是温度的函数,因此可由测量电导而推算出温度的高低,并能做出电阻-温度特性曲线。这就是半导体热敏电阻的工作原理。
- 假设,电阻和温度之间的关系是线性的,则: Δ R=kΔ T
- Δ Δ R
- = 电阻变化 Δ T
- = 温度变化 k
- = 一阶的电阻温度系数
热敏电阻可以依 k 值大致分为两类: k 为正值,电阻随温度上升而增加,称为正温度系数(PTC,Positive Temperature Coefficient)热敏电阻。 k 为负值,电阻随温度上升而减少,称为负温度系数(NTC,Negative Temperature Coefficient)热敏电阻。
此外还有一种临界温度热敏电阻(CTR,Critical Temperature Resistance),在一定温度范围内,其电阻会有大幅的变化。
非热敏电阻的一般电阻,其 k 一般都相当接近零,因此在一定的温度范围内其电阻值可以接近一定值。
有时热敏电阻不用温度系数k来描述,而是用电阻温度系数 α _(T) 来描述,其定义为 α _(T)=1/(R(T))dR/dT.
此处的 α _(T) 系数和以下的 a 参数是不同的。
斯坦哈特-哈特公式
在实务上,上述的线性近似只在很小温度范围下适用,若要考虑精密的温度量测,需要更详细的描述温度-电阻曲线。斯坦哈特-哈特公式是广为使用的三阶近似式: (公式略)
其中a、b和c称为斯坦哈特-哈特参数,每个热敏电阻有不同的参数,T是以开尔文表示的温度,R是电阻,单位是欧姆,若要电阻以温度的函数表示,可以整理为下式: (公式略)
其中 (公式略)
在二百度的范围内,斯坦哈特-哈特公式的误差多半小于0.02 °C。例如,室温下(25 °C = 298.15 K)电阻值为3000 Ω的热敏电阻,其参数为 (公式略)
NTC热敏电阻的参数
NTC热敏电阻的电阻值随温度的上升而下降,也可以用B(或β)参数来描述其特性,其实就是参数为 a=(1/T₀)-(1/B)ln(R₀), b=1/B 及 c=0 的斯坦哈特-哈特公式。 (公式略)
- 其中
- T:温度,单位为K
- R0:为温度T0 (25 °C = 298.15 K)时的电阻
- 求解R可得 (公式略)
- 或者 R=r_(∞)e^(B/T)
其中 r_(∞)=R₀e^(-B/T₀).
因此可以求解温度为 (公式略)
B参数的方程也可以表示为 ln R=B/T+ln r_(∞),可以得热敏电阻温度及电阻的方程式转换为 ln R 和 1/T 的线性方程式。由其平均斜率可以得到B参数的估计值。
历史
第一个NTC热敏电阻是法拉第在1833年研究硫化银的半导体特性时发现的。法拉第注意到硫化银的阻值随着温度上升而大幅下降(这也是第一次对于半导体材料特性的记录)
早期因为热敏电阻不易生产,且应用的技术受限,商业化的使用一直到1930年代才开始。第一个在商业应用上可行的热敏电阻是由Samuel Ruben在1930年发明。
应用领域
- 温度侦测
- 电路开关
- 涌流抑制
- 马达延时启动
- 过热保护
以上内容摘自维基百科「热敏电阻」,按 CC BY-SA 4.0 使用,去掉了参考文献、外部链接等尾部小节,公式改写成了纯文本。全文、配图和出处见原文。