图:Esfera2.PNG: User:老陳 derivative work: 老陳 (talk) · CC BY-SA 3.0 · Wikimedia Commons
- 类型
- 物理定律
- 命名来源
- 卡尔·弗里德里希·高斯
- 学科
- 物理学
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百科正文
其中, E 为电场, da 为闭合曲面 A 的微分面积,由曲面向外定义为其方向, Q_(enc) 为闭合曲面内的电荷, ε ₀ 为真空电容率。
其微分形式为: (公式略);其中, ρ 为电荷密度(单位 C/m3)。
在线性材料中,等式变为 ∇ · ε E=ρ _(free);其中 ε 为材料的电容率, ρ _(free) 为自由电荷密度。
此方程是卡尔·高斯在1835年提出的,但直到1867年才发布。高斯定律在静电场情况下类比于应用在磁场学的安培定律,而二者都被集中在麦克斯韦方程组中。因为数学上的相似性,高斯定律也可以应用于其它由反平方定律决定的物理量,例如引力或者辐照度。参看散度定理。
积分形式
采用国际单位制,对于空间内的任意体积 V,其表面 A,真空中的高斯定律的积分形式可以用方程表达为 (公式略);
其中, E 为电场, da 为闭合曲面 A 的微分面积,由曲面向外定义为其方向, Q_(enc) 是在体积 V 内的总电荷数量。
电通量 Φ _(E) 是穿过曲面 A 的电场线数量: (公式略)。 Q_(enc) 包括自由电荷和束缚电荷(在电介质内,因电极化强度而产生的电荷)。 ε ₀ 是真空电容率。
应用
给予空间的某个区域内,任意位置的电场。原则上,应用高斯定律,可以很容易地计算出电荷的分布。只要积分电场于任意区域的表面,再乘以真空电容率,就可以得到那区域内的电荷数量。
但是,更常遇到的是逆反问题。给予电荷的分布,求算在某位置的电场。这问题比较难解析。虽然知道穿过某一个闭合曲面的电通量,这资料仍旧不足以解析问题。在闭合曲面任意位置的电场可能会是非常的复杂。
假若,问题本身显示出某种对称性,促使在闭合曲面位置的电场大小变得均匀。那么,就可以借着这均匀性来计算电场。像圆柱对称、平面对称、球对称等等,这些空间的对称性,都能帮助高斯定律来解析问题。若想知道怎样利用这些对称性来计算电场,请参阅高斯曲面(Gaussian surface)。
微分形式
高斯定律的方程的微分形式为 (公式略)。
其中 ρ 为体电荷密度, ε ₀ 为真空电容率。
在数学里,高斯定律的微分形式等价于其积分形式。这等价关系可以用散度定理来证明。
自由电荷的高斯定律
自由电荷与束缚电荷
自由电荷是自由移动,不被束缚于原子或分子内的电荷;而束缚电荷则是束缚于原子或分子内的电荷。当遇到涉及电介质的问题时,才需要考虑到束缚电荷所产生的效应。当电介质被置入于外电场时,电介质内的束缚电荷会被外电场影响,虽然仍旧束缚于其微观区域(原子或分子),但会做微小位移。所有这些微小位移的贡献造成了宏观的电荷分布的改变。
虽然微观而言,不论是自由电荷,还是束缚电荷,本质上都是电荷。实际而言,对于某些案例,使用自由电荷的概念可以简化问题的解析。但有时候,由于问题比较复杂,缺乏对称性,必需采用其它方法来解析问题。
积分形式
对于空间内的任意体积 V,其表面 A,这个高斯定律表述,可以用积分形式的方程表达为 (公式略);
其中, D 为电位移, ds 为闭合曲面 A 的微分面积,由曲面向外定义为其方向, Q_(free) 是在体积 V 内的自由电荷数量。
微分形式
只涉及自由电荷,这个高斯定律表述的微分形式可以表达为 ∇ · D =ρ _(free)
其中, ρ _(free) 是自由电荷密度,完全不包括束缚电荷。
请注意,在某种状况下,虽然区域内可能没有自由电荷, ρ _(free)=0。但是,这并不表示电位移等于 0。因为, D =ε ₀E +P;
其中, P 是电极化强度。
取旋度于方程的两边, ∇ × D =∇ × ε ₀E +∇ × P =∇ × P。
所以,电位移很可能不等于 0。最典型的例子是永电体。
在数学里,高斯定律的微分形式等价于其积分形式。这等价关系可以用散度定理来证明。
线性电介质
线性电介质有一个简单良好的性质,其 D 和 E 的关系方程为 ε E =D;
其中, ε 是物质的电容率。
对于线性电介质,又有一对等价的高斯定律表述: (公式略)、 (公式略)。
高斯定律与库仑定律的关系
从库仑定律推导高斯定律
库仑定律阐明,一个固定的点电荷的电场是 (公式略);
其中, q' 是点电荷, (公式略) 是真空电容率, r 是电场位置, r ' 是点电荷位置。
根据这方程,计算位于 r ' 的无穷小电荷元素所产生的位于 r 的电场,积分体积曲域 V 内所有的无穷小电荷元素,可以得到电荷分布所产生的电场: (公式略)。
取这方程两边对于 r 的散度: (公式略)。
注意到 (公式略);
其中, δ (r) 是狄拉克δ函数。
所以, E (r) 的散度是 (公式略)。
利用狄拉克δ函数的挑选性质,可以得到高斯定律的微分形式: ∇ · E (r)=ρ (r)/ε ₀。
- 或者可以这样得到高斯定理的积分形式:
- 点电荷电场通过面元的电通量为 (公式略)
- 对于单点电荷情形,
- ( i) 在高斯面内, (公式略)
- ( ii) 在高斯面外, (公式略)
- 故可以得到, (公式略),即 (公式略)
若包围在S面内的电荷具有一定体分布,电荷体密度为 ρ,则高斯定理可写成: (公式略)
由于库仑定律只能应用于固定不动的电荷,对于移动电荷,这导引不能证明高斯定律成立。事实是,对于移动电荷,高斯定律也成立。所以,从这角度来看,高斯定律比库仑定律更一般化。
从高斯定律推导库仑定律
严格地说,从高斯定律不能从数学推导出库仑定律,高斯定律并没有给出任何关于电场的旋度的资料(参阅亥姆霍兹定理和法拉第电磁感应定律)。但是,假若能够添加一个对称性假定,即电荷造成的电场是球对称的(就像库仑定律本身一样,在固定不动电荷的状况,这假设是正确的;在移动电荷的状况,这假设是近乎正确的),那么,就可以从高斯定律推导出库仑定律。
高斯定律的方程为 (公式略)。
设定高斯定律积分的曲面 A 为一个半径 r 圆球面,圆心位置在电荷 Q 的位置。那么,由于球对称性, (公式略), E(r) 与 da ' 无关,可以将 E(r) 从积分内提出: (公式略)。
所以,库仑定律成立: (公式略)。
以上内容摘自维基百科「高斯定律」,按 CC BY-SA 4.0 使用,去掉了参考文献、外部链接等尾部小节,公式改写成了纯文本。全文、配图和出处见原文。
